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即使在低输入电压下,同步升压型转换器也能为大电流LED供电


本文摘要:创作者:KyleLawrence大功率LED在当代灯光效果系统软件中的运用于总数大大的猛增,涵盖轿车位置灯、工业生产/商业服务标志、工程建筑灯光效果及其各种各样消费电子产品等运用于。

创作者:KyleLawrence大功率LED在当代灯光效果系统软件中的运用于总数大大的猛增,涵盖轿车位置灯、工业生产/商业服务标志、工程建筑灯光效果及其各种各样消费电子产品等运用于。领域往往调向LED技术性,是由于固体灯光效果与传统式灯源相比具有明显的优点:电磁能转换为光键入不但高效率,并且使用期宽。伴随着更为多的运用于应用LED灯光,为了更好地提高光键入,对LED高些电流的市场的需求也日益突出。

驱动器大电流LED串的仅次挑戰之一是在输出功率转化器级保持效率高,进而获得稳定调整的LED电流。输出功率转化器高效率不低体现为电流控制器电源电路的开关电源元器件引起的筋挛状况。LT3762是一款即时降压型LED控制板,目地提升大功率降压型LED驱动器系统软件中罕见的高效率耗损源。

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该器件的即时经营可最大限度地提升多线程DC-DC转化器中箝位二极管的反过来损耗一般来说不容易造成的耗损。这一高效率提升 使LT3762必须获得比类似多线程降压型LED驱动器高些的键入电流,特别是在较低输出电压时。为了更好地提升 较低输出电压时的工作中特性,根据配置一个板载DC-DC稳压电源,即便 输出电压降至7.9V下列,也可以为栅极光耦电路获得7.9V的工作电压。

在较低输出电压标准下获得强悍的栅极驱动器电压源,促使MOSFET在输出电压降低时造成较较少的发热量,进而使工作标准电压輸出范畴小于约3V。图1.LT3762展现电源电路(DC2342A)可在长输出电压范畴内以2A(最少32V)驱动器LED。根据附加的MOSFET和电容器可精彩纷呈修改该展现电源电路,以提高功率。这款降压型LED控制板可配置为在100kHz至1MHz同样开关电源頻率中间工作中,获得?30%×fSW展频调配选择项,以降低与开关电源涉及到的EMI动能最高值。

LT3762可应用降压、变压或降压/变压流形驱动器LED。高档PMOS插进开关电源有利于PWM变光,并在LED正处在引路/短路故障情况时维护保养器件免受潜在性损害。

LT3762应用內部PWM产生器,运用单独电容器和一个交流电压来设定頻率和脉冲宽度,以搭建达到250:1的PWM变光比,也可用以外界PWM信号搭建达到3000:1的变光比。图2中的电路原理图说明用以LT3762的展现电源电路运用于(DC2342A),在其中LT3762配置为在4V至28V的输出电压范畴内以2A(最少32V)驱动器LED。LT3762即时降压型LED控制板应用4mm×5毫米QFNPCB和28扩展槽TSSOPPCB。即时开关电源在多线程DC-DC转化器流形中,肖特基箝位二极管用以微波感应器开关电源,以改动转化器对单独MOSFET进行脉冲宽度调配的操控计划方案。

尽管这显而易见改动了操控,但它允许了键入电流的尺寸。肖特基二极管与PN结器件一样,在一切电流根据器件以前都是会具有反过来损耗。因为肖特基二极管的功能损耗是其反过来损耗与电流的相乘,因而键入电流水准过低将造成数瓦的通断功能损耗,进而使肖特基二极管加重,最终导致转化器高效率降低。LT3762即时电源转换器与多线程转化器各有不同,会出现键入电流比较有限的状况,这是由于即时转化器应用第二MOSFET更换肖特基二极管。

MOSFET与肖特基二极管各有不同,它没反过来损耗。忽视,当MOSFET正处在基本上加强情况时,其溢趋于到源极间的电阻器十分小。在大电流下,MOSFET造成的通断耗损近高过肖特基二极管,由于功能损耗与漏源电阻器的平方和根据器件的电流的相乘正相关。

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即便 在小于7V的全输出功率输出电压下,MOSFET也只不容易应对约30°C的升温(如图所示3下图)。较低输出电压工作中大功率降压型LED控制板的另一个挑戰再次出现在较低输出电压工作中期内。

大部分降压型DC-DC稳压电源IC用以由器件輸出尾端供电系统的內部LDO稳压电源,为IC中的模拟仿真和数据控制回路获得较低的工作电压开关电源。在从內部LDO稳压电源出示开关电源的电源电路中,栅极控制器耗费的输出功率仅次,而且它的特性不会受到LDO稳压电源键入起伏的危害。当输出电压降至LDO的键入工作电压下列时,LDO键入刚开始骤降,这将允许栅极控制器长期加强MOSFET的工作能力。

当MOSFET正处在仍未基本上加强情况时,他们工作中于较高电阻器情况,因而当电流根据器件的时候会以发热量方式力学系统输出功率。图2.32V、2ALT3762降压型LED驱动器图3.在完全一致检测标准下,配搭类似的元器件,即时LT3762(左图)驱动器2A、32V的LED串,其甘升到近高过多线程LT3755-2电源电路(下图)。这类热特性的提高归功于以即时MOSFET更换肖特基箝位二极管,进而可清除二极管反过来损耗引起的耗损。


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